Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas

Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ypatumus, parametrus, diodų teorinių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, diodų darbą paprasčiausiuose elektroniniuose grandynuose. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistiniųjų būvių ar režimų srityse. Išmokti naudotis diodų elementų žinynais, duomenų lapais.
Naudota aparatūra. Maitinimo šaltiniai MŠ1 ir MŠ2 (0 – 35V), varžynas, ampermetrai, elektroninis voltmetras, germanio (Ge) diodas, silicio (Si) diodas, stabilitronas BZX55C15, šviesos diodas, diodinis optronas.µ
Darbo eiga.
Sujungiame 1 paveiksle pavaizduotą grandyną ir išmatuojame germanio, silicio ir kitų diodų voltampermetrines charakteristikas (VACh) prie tokių srovių: 0; 10µA; 20 µA; 40 µA; 100 µA; 200 µA; 400 µA; 1 mA; 2mA; 4 mA; 8 mA; 16 mA.