Tranzistorinio stiprintuvo tyrimas

Bendrabazės ( BB ) ir bendraemiterės ( BE ) tranzistorinės stiprinimo pakopos sandara ir veikimo principas. Tranzistoriaus veikos taško nustatymo būdai. Mažo įėjimo signalo sąlyga.

BB stiprinimo pakopos įėjimo ir išėjimo varžos; įtampos, srovės ir galios stiprinimo koeficientai. Ekvivalentinė T- pavidalo elektroninė grandinė plačiame dažnių diapazone. Įėjimo įtampos stiprinimo koeficiento K u b priklausomybė nuo kolektoriaus apkrovos rezistoriaus Ra varžos.

BE stiprinimo pakopos įėjimo ir išėjimo varžos; įtampos, srovės ir galios stiprinimo koeficientai. Ekvivalentinė T- pavidalo elektroninė grandinė plačiame dažnių diapazone. Įtampos stiprinimo koeficiento K u e priklausomybė nuo kolektoriaus apkrovos rezistoriaus Ra varžos.

BB ir BE stiprinimo pakopų įėjimo signalo stiprinimo ribiniai dažniai: fa r -aukštasis ribinis dažnis, fž r -žemasis ribinis dažnis bei jų sąryšis su dvipolio tranzistoriaus ribiniais dažniais: f ir f. Praleidžiamų dažnių juostos plotis f = fa r - fž r.